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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

FDC638P 

产品描述

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin SuperSOT T/R

内部编号

3-FDC638P

#1

数量:2610
10+¥1.4915
100+¥1.463
500+¥1.425
1000+¥1.387
3000+¥1.3585
最小起订量:10
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#2

数量:2660
10+¥1.4915
100+¥1.463
500+¥1.425
1000+¥1.387
3000+¥1.3585
最小起订量:10
英国伦敦
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#3

数量:2650
10+¥1.4915
100+¥1.463
500+¥1.425
1000+¥1.387
3000+¥1.3585
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

FDC638P产品详细规格

规格书 FDC638P datasheet 规格书
FDC638P datasheet 规格书
FDC638P datasheet 规格书
文档 FDC6x, NDC7003P Die 11/May/2007
Mold Compound 08/April/2008
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
FET 型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 20V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 4.5A
Rds(最大)@ ID,VGS 48 mOhm @ 4.5A, 4.5V
VGS(TH)(最大)@ Id 1.5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 14nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 1160pF @ 10V
功率 - 最大 800mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供应商器件封装 6-SSOT
包装材料 Tape & Reel (TR)
associated EYGA121807A
EYGA091203SM

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